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2.1. 英特尔Agilex® 7 M系列M20K模块中的Fabric Network-On-Chip(NoC)
2.2. 英特尔Agilex® 7嵌入式存储器模块中的字节使能(Byte Enable)
2.3. 地址时钟使能支持
2.4. 异步清零和同步清零
2.5. 存储模块错误纠正编码(ECC)支持
2.6. 英特尔Agilex® 7嵌入式存储器时钟模式
2.7. 英特尔Agilex® 7嵌入式存储器配置
2.8. Force-to-Zero(强制归零)
2.9. Coherent(一致性)读存储器
2.10. 冻结逻辑(Freeze logic)
2.11. 真双端口双时钟仿真器
2.12. 读和写地址寄存器的初始值
2.13. M20K模块中的时序/功耗优化功能
2.14. 英特尔Agilex® 7支持的嵌入式存储器IP
4.3.1. FIFO Intel® FPGA IP的发布信息
4.3.2. 配置方法
4.3.3. 规范
4.3.4. FIFO功能时序要求
4.3.5. SCFIFO ALMOST_EMPTY功能时序
4.3.6. FIFO输出状态标志和延迟
4.3.7. FIFO亚稳性保护及相关选项
4.3.8. FIFO同步清零和异步清零效果
4.3.9. SCFIFO和DCFIFO Show-Ahead模式
4.3.10. 不同的输入和输出宽度
4.3.11. DCFIFO时序约束设置
4.3.12. 手动例化的编码实例
4.3.13. 设计实例
4.3.14. 时钟域交叉处的格雷码(Gray-Code)计数器传输
4.3.15. 嵌入式存储器ECC功能指南
4.3.16. FIFO Intel® FPGA IP参数
4.3.17. 复位方案(reset scheme)
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4.2.2. eSRAM系统特性
eSRAM系统具有同时处理读写请求的特性,确保数据的完整性和一致性,并最大限度地提高电源效率。
一个给定的eSRAM系统可以达到750 MHz的最大频率。可用eSRAM系统的数量取决于使用中的 英特尔Agilex® 7器件。
eSRAM系统内的每个存储器端口都有一个写端口和一个读端口,可以同时处理读写请求。每个端口仅有各自bank的访问权限,从而确保每个端口与邻近端口之间彼此相互独立。
eSRAM系统具有纠错码(ECC)功能,始终开启此功能会消耗一些用户可访问的数据容量。ECC通过使用扩展的汉明码(Hamming code)对写入数据进行编码,并对Single-bit Error Correction,Double-bit Error Detection (SECDED)进行读数据解码来提高数据完整性。无论是否使能ECC。
您可以使能名为Write Forwarding的数据一致性功能,来同时处理对同一eSRAM存储器位置的写入和读取访问。写端口上的写数据被转发到读端口,但不从目标SRAM bank中读取数据。写数据仍被写入目标eSRAM bank中。