英特尔Agilex® 7嵌入式存储器用户指南

ID 683241
日期 4/10/2023
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4.2.2. eSRAM系统特性

eSRAM系统具有同时处理读写请求的特性,确保数据的完整性和一致性,并最大限度地提高电源效率。

一个给定的eSRAM系统可以达到750 MHz的最大频率。可用eSRAM系统的数量取决于使用中的 英特尔Agilex® 7器件。

eSRAM系统内的每个存储器端口都有一个写端口和一个读端口,可以同时处理读写请求。每个端口仅有各自bank的访问权限,从而确保每个端口与邻近端口之间彼此相互独立。

eSRAM系统具有纠错码(ECC)功能,始终开启此功能会消耗一些用户可访问的数据容量。ECC通过使用扩展的汉明码(Hamming code)对写入数据进行编码,并对Single-bit Error Correction,Double-bit Error Detection (SECDED)进行读数据解码来提高数据完整性。无论是否使能ECC。

您可以使能名为Write Forwarding的数据一致性功能,来同时处理对同一eSRAM存储器位置的写入和读取访问。写端口上的写数据被转发到读端口,但不从目标SRAM bank中读取数据。写数据仍被写入目标eSRAM bank中。