Intel® Stratix® 10嵌入式存储器用户指南

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ID 683423
日期 11/19/2019
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1. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器概述 2. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器体系结构和特性 3. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器设计考量 4. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器IP内核参考 5. Intel Stratix 10嵌入式存储器设计实例 6. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器用户指南归档 7. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器用户指南的修订历史
1. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器概述 x
1.1. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器特性 1.2. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器性能
2. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器体系结构和特性 x
2.1. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器模块中的字节使能(Byte Enable) 2.2. 地址时钟使能支持 2.3. 异步清零和同步清零 2.4. 存储模块错误纠正编码支持 2.5. Force-to-Zero 2.6. Coherent（一致性）读存储器 2.7. 冻结逻辑(Freeze logic) 2.8. 真双端口双时钟仿真器 2.9. Intel® Stratix® 10支持的嵌入式存储器IP内核 2.10. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器时钟模式 2.11. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器配置 2.12. 读和写地址寄存器的初始值
2.1. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器模块中的字节使能(Byte Enable) x
2.1.1. 字节使能控制 2.1.2. 数据字节输出 2.1.3. 字节使能行为
2.4. 存储模块错误纠正编码支持 x
2.4.1. 奇偶校验位 2.4.2. ECC奇偶校验位翻转(ECC Parity Flip) 2.4.3. ECC Read-During-Write行为 2.4.4. 纠错码真值表
2.6. Coherent（一致性）读存储器 x
2.6.1. 转发逻辑(Forwarding Logic)
2.10. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器时钟模式 x
2.10.1. 单一时钟模式(Single Clock Mode) 2.10.2. 读/写时钟模式(Read/Write Clock Mode) 2.10.3. 输入/输出时钟模式(Input/Output Clock Mode) 2.10.4. 时钟模式下的异步/同步清零 2.10.5. 同步读/写中的输出读数据 2.10.6. 时钟模式的独立时钟使能
2.11. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器配置 x
2.11.1. 混合宽度端口配置
3. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器设计考量 x
3.1. 考虑存储器模块选择 3.2. 并发读取行为的考量 3.3. 自定义Read-During-Write行为 3.4. 考虑上电状态和存储器初始化 3.5. 降低功耗 3.6. 避免提供不确定性输入
3.3. 自定义Read-During-Write行为 x
3.3.1. Same-Port Read-During-Write模式 3.3.2. Mixed-Port Read-During-Write模式
4. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器IP内核参考 x
4.1. 片上存储器RAM和ROM Intel® FPGA IP core 4.2. eSRAM Intel® FPGA IP 4.3. FIFO Intel® FPGA IP 4.4. FIFO2 Intel® FPGA IP
4.1. 片上存储器RAM和ROM Intel® FPGA IP core x
4.1.1. RAM: 1-PORT Intel® FPGA IP参数 4.1.2. RAM: 2-PORT Intel® FPGA IP参数 4.1.3. RAM: 4-PORT Intel® FPGA IP参数 4.1.4. ROM: 1-PORT Intel® FPGA IP参数 4.1.5. ROM: 2-PORT Intel® FPGA IP参数 4.1.6. RAM和ROM接口信号 4.1.7. 手动更改参数设置
4.1.7. 手动更改参数设置 x
4.1.7.1. RAM和ROM参数设置
4.2. eSRAM Intel® FPGA IP x
4.2.1. eSRAM系统特性 4.2.2. eSRAM Intel® FPGA IP 参数 4.2.3. eSRAM Intel® FPGA IP 接口信号 4.2.4. eSRAM Intel® FPGA IP仿真演练 4.2.5. eSRAM时序图
4.2.1. eSRAM系统特性 x
4.2.1.1. eSRAM规范 4.2.1.2. eSRAM使用模型
4.3. FIFO Intel® FPGA IP x
4.3.1. 配置方法 4.3.2. 规范 4.3.3. FIFO功能时序要求 4.3.4. SCFIFO ALMOST_EMPTY功能时序 4.3.5. FIFO输出状态标记和延迟 4.3.6. FIFO亚稳性保护及相关选项 4.3.7. FIFO同步清零和异步清零影响 4.3.8. SCFIFO和DCFIFO Show-Ahead模式 4.3.9. 不同的输入和输出宽度 4.3.10. DCFIFO时序约束设置 4.3.11. 手动例化的编码实例 4.3.12. 设计实例 4.3.13. 时钟域交叉上的格雷码计数器传输(Gray-Code Counter Transfer at the Clock Domain Crossing) 4.3.14. 嵌入式存储器ECC功能指南 4.3.15. FIFO Intel® FPGA IP参数 4.3.16. 复位方案(reset scheme)
4.3.2. 规范 x
4.3.2.1. Verilog HDL原型 4.3.2.2. VHDL组件声明 4.3.2.3. VHDL LIBRARY-USE声明 4.3.2.4. FIFO信号 4.3.2.5. FIFO参数设置
4.3.7. FIFO同步清零和异步清零影响 x
4.3.7.1. 编译DCFIFO时出现的恢复和删除时序违规警告
4.3.10. DCFIFO时序约束设置 x
4.3.10.1. 嵌入式时序约束 4.3.10.2. 用户可配置的时序约束
4.3.10.2. 用户可配置的时序约束 x
4.3.10.2.1. SDC命令
4.4. FIFO2 Intel® FPGA IP x
4.4.1. 配置方法 4.4.2. Fmax目标测量方法 4.4.3. 性能考量 4.4.4. FIFO2 Intel® FPGA IP特性 4.4.5. FIFO2 Intel® FPGA IP参数 4.4.6. FIFO2 Intel® FPGA IP接口信号 4.4.7. 复位和时钟方案
4.4.4. FIFO2 Intel® FPGA IP特性 x
4.4.4.1. FIFO2规范
4.4.5. FIFO2 Intel® FPGA IP参数 x
4.4.5.1. FIFO2参数设置
4.4.6. FIFO2 Intel® FPGA IP接口信号 x
4.4.6.1. SCFIFO信号 4.4.6.2. DCFIFO信号
4.4.7. 复位和时钟方案 x
4.4.7.1. 时钟域 4.4.7.2. 复位
4.4.7.2. 复位 x
4.4.7.2.1. FIFO2 Intel® FPGA IP复位指南
5. Intel Stratix 10嵌入式存储器设计实例 x
5.1. FIFO和FIFO2设计实例
5.1. FIFO和FIFO2设计实例 x
5.1.1. 生成设计实例 5.1.2. 仿真设计实例
5.1.2. 仿真设计实例 x
5.1.2.1. 仿真结果
1. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器概述
2. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器体系结构和特性
3. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器设计考量
4. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器IP内核参考
5. Intel Stratix 10嵌入式存储器设计实例
6. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器用户指南归档
7. Intel® Stratix® 10嵌入式存储器用户指南的修订历史

3.5. 降低功耗

降低设计中每个存储器模块的交流电(AC)功耗：

  • 使用 Intel® Stratix® 10存储器模块时钟使能来控制每个嵌入式存储器模块的时钟。
  • 使用读使能信号来确保读操作仅在必要时出现。如果您的设计不要求read-during-write，那么在写操作期间或者无存储器操作期间，可以通过解除置位读使能信号以降低功耗。
  • 使用 Intel® Quartus® Prime软件自动将未使用的嵌入式存储器模块置于低功耗状态来降低静态功耗。
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