BBU（电池备份单元）充电周期期间英特尔® RAID Controller缓存写入策略设置
内容类型: 安装与设置 | 文章 ID: 000007712 | 上次审核日期: 2025 年 02 月 18 日
安装 英特尔® RAID 高速缓存电池备份单元 （BBU） 时，可以在逻辑驱动器的基础上启用英特尔® RAID Controller控制器的缓存写入策略。在断电的情况下，BBU会将数据保留在缓存中一段时间，然后在恢复供电后完成数据写入硬盘。电池将数据保存在高速缓存中的时间取决于控制器内存和电池配置。查看正在使用的 BBU 解决方案的规格。
当逻辑驱动器的缓存写入策略设置为回写时，缓存写入策略将在电池充电期间临时设置为 直写 ，以便在充电周期内断电的情况下保护数据，然后在电池充满电时自动返回回 写 。
在进行 I/O 性能测试时，由于临时的通过高速缓存写入设置，性能测试可能会在 BBU 充电时显示较低的性能。为了获得更好的性能指标，请等待电池充满电，此时将重置缓存设置以回写逻辑驱动器。
| 注意 | 通过将缓存写入策略设置为 始终写回，可以强制逻辑驱动器始终保持回写模式;但是，当 BBU 不可用且无法正常工作时，高速缓存中的数据将不受保护。仅当数据丢失不是问题并且需要性能时才应使用。 |