英特尔® Stratix® 10 MX FPGA
英特尔® Stratix® 10 MX FPGA
特性与优势
更高的内存带宽
英特尔® Stratix® 10 Mx 设备的带宽比 DDR4 SDRAM 等目前的独立内存解决方案的带宽高 10 倍。传统的 DDR4 DIMM 带宽大约为 21 Gb/秒，而 1 个 HBM2 区块可提供高达 256 GB/秒的带宽。英特尔® Stratix® 10 MX 设备在一个封装中集成了兩台 HBM2 设备，最大内存带宽高达 512 GBps。
更低的系统功耗和更优的每瓦性能
英特尔® Stratix® 10 MX 设备在内核架构旁集成了 HBM Gen2 内存。这种安排显著缩短了内核架构和内存之间的互联，从而降低了过去驱动长 PCB 走线所需的功耗。走线未进行匹配，容性负载较小，降低了 I/O 电流。最终结果是更低的系统功耗和更优的每瓦性能。
外形更小，使用简单
英特尔® Stratix® 10 MX 封装集成了内存组件，从而显著降低了 PCB 设计的复杂性。这种实施方法缩小了外形封装，支持简单使用模型，造就了一款高度灵活、易于使用、可扩展的解决方案。嵌入式 SRAM (eSRAM) 就是一个很好的例子，相比独立 QDR IV-10661，它的带宽更高：总（读和写）带宽高 11.25 倍，而总功耗降低了 2.6 倍，因此进一步完善了已有的模块 RAM。增强的嵌入式 SRAM 非常适合需要最高等级随机会话速率 (RTR) 的应用，可取代或减少对独立 QDR 的需求，且 EMIF I/O 占用为零。
使用EMIB实现芯片级集成
英特尔开发的嵌入式多管芯互联桥接(EMIB)创新封装技术支持系统关键组件的封装内高效集成，例如，模拟设备、内存、ASIC、CPU，等。与其他的封装内集成技术相比，EMIB 提供了更简单的制造流程。 EMIB 避免了使用直通硅过孔(TSV)和特殊的中介层硅。结果是高度集成的系统级封装产品，提高了性能，降低了复杂度，同时获得了优异的信号和电源完整性。 了解有关英特尔 EMIB 技术的更多信息。
内存
封装内 FPGA 靠近内存
英特尔的靠近内存解决方案在同一个封装中靠近 FPGA 集成了高密度 DRAM。 在这种配置中，与传统的主内存相比，对封装内内存的访问非常快，带宽提高了10倍。内存靠近这种配置缩短了 FPGA 与内存之间的走线长度，从而降低了系统功耗，减小了电路板面积。
DRAM 系统级封装 (SiP) 解决方案利用高带宽内存 2 (HBM2)，消除高性能系统中的内存带宽瓶颈，以处理日益增多的数据，包括数据中心、广播、有线网络和高性能计算系统。
HBM2 DRAM
HBM2 DRAM 是 3D 内存，使用硅片直通孔(TSV)技术垂直堆叠了多个 DRAM 管芯。与基于分立 DDR 的解决方案相比，HBM2 DRAM 的内存带宽更高，系统功耗更低，外形封装更小，从而实现了最佳每瓦性能。
英特尔® Stratix® 10 MX 设备集成 HBM2 区块以及高性能单片 14 纳米 FPGA 芯片，能够提供超过独立 DRAM 解决方案 10 倍的内存带宽。
