双列直插式内存模块 （DIMM） 填充规则要求从蓝色 DIMM 插槽或最遥远的处理器 DIMM 插槽开始，采用 最遥远 的方法填充多个 DIMM 的通道。此外，在同一通道中使用单通道或双列 DIMM 填充四列 DIMM 时，四通道 DIMM 必须最远离处理器。如果未填充相应的处理器插槽，与给定处理器相关联的内存插槽将不可用。
DIMM 人口要求如下所示：
- 对于每个通道的多个 DIMM：
- 对于寄存式 DIMM （RDIMM）、降负载 DIMM （LRDIMM）、3 维堆栈 （3DS） RDIMM 或 3DSLRDIMM，始终在第一个通道（蓝色插槽）中的第一个插槽（蓝色插槽）中填充 DIMM，并提供更高的电气加载。
- 当在通道 A 或 D 中仅使用一个 DIMM 时，必须将其填充在蓝色 DIMM 插槽中。
- 任何一条通道上最多可使用 8 个逻辑等级以及在通道上加载最多 10 个物理等级。
- 不支持在通道或插槽中或跨插槽中混合双数据速率 4 （DDR4） DIMM 类型（RDIMM、LRDIMM、3DS-RDIMM、3DS-LRDIMM、NVDIMM）。这是内存初始化的严重错误。
- 不同频率和延迟的混合 DIMM 在处理器插槽内或跨插槽上不受支持。如果遇到混合配置，则 BIOS 尝试以最高通用频率和尽可能低的延迟运行。
- LRDIMM Rank 乘法模式和直接映射模式不得混合在处理器插槽内或跨处理器插槽中。这是内存初始化的严重错误。
- 要在同一通道上安装 3 个 QR LRDIMM，它们必须以 RM = 2 的 Rank 乘法操作。这将使每个 LRDIMM 显示为 DR DIMM，其容量将提高两倍。
- 可靠性、可用性和可维护性 （RAS） 模式的列队间隔和镜像在此 BIOS 中相互排斥。只可选择一个操作模式，并将其应用于整个系统。
- 如果已配置 RAS 模式，并且内存量在启动过程中不会支持它，系统将退回到独立通道模式，并记录和显示错误。
- 只有在填充内存的所有通道均符合在每个填充通道上安装了至少 2 个 SR 或双 Rank DIMM 或至少安装了一个 QR DIMM 的要求时，才可以使用 Rank Sparing 模式。
- 镜像模式要求任何已填充内存的通道对，配对两条通道上的内存填充量必须完全相同。有关配对命名的详细信息，请参阅英特尔 至强® 处理器可扩展家族 BIOS EPS。
为了获得最佳性能，应使用以下准则填充 DIMM：
- 每个已安装的处理器应具有匹配的 DIMM 配置。
- 应遵循以下 DIMM 人口指南，以适用于每个已安装的处理器
- 1 个 DIMM 到 3 个 DIMM 配置 - 应将 DIMM 填充到通过 C 的通道 A 的 DIMM 插槽 1（蓝色插槽）
- 4 DIMM 配置 – 应将 DIMM 插槽 1（蓝色插槽）填充到通道 A、B、D 和 E 的 DIMM 插槽
- 5 DIMM 配置 – 不建议。这是一种无平衡的配置，其性能将低于最佳性能
- 6 DIMM 配置 – 应将 DIMM 插槽 1（蓝色插槽）填充至所有通道的 DIMM 插槽
- 7 个 DIMM 配置 – 不建议。这是一种非平衡的配置，其性能将低于最佳性能
- 8 个 DIMM 配置 – 所有 DIMM 插槽中都填充了 DIMM 插槽