英特尔宣布已实现基于业界领先的半导体封装解决方案的大规模生产，其中包括英特尔突破性的3D封装技术Foveros，该技术为多种芯片的组合提供了灵活的选择，带来更佳的功耗、性能和成本优化。
这一技术是在英特尔最新完成升级的美国新墨西哥州Fab 9投产的。
先进封装技术让英特尔脱颖而出，帮助我们的客户在芯片产品的性能、尺寸，以及设计应用的灵活性方面获得竞争优势。
这一里程碑式的进展还将推动英特尔下一阶段的先进封装技术创新。随着整个半导体行业进入在单个封装中集成多个“芯粒”（chiplets）的异构时代，英特尔的Foveros和EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）等先进封装技术提供了速度更快、成本更低的路径，以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，并在2030年后继续推进摩尔定律。
英特尔的3D先进封装技术Foveros是业界领先的解决方案，在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外，Foveros让英特尔及其代工客户能够集成不同的计算芯片，优化成本和能效。
英特尔将继续致力于推进技术创新，扩大业务规模，满足不断增长的半导体需求。
无人机照片显示了 2024 年 1 月，英特尔在新墨西哥州里约兰乔的新 Fab 9。晶圆厂 9 是英特尔此前宣布的 35 亿美元投资的一部分，该投资旨在为其新墨西哥州工厂配备先进半导体封装技术制造设备。（来源：英特尔公司）
2024 年 1 月，制造技术人员在位于新墨西哥州里约兰乔的英特尔新 9 号工厂的无尘室里工作。（来源：英特尔公司）
2024 年 1 月，一名制造技术人员透过窗户展示英特尔位于新墨西哥州里约兰乔的全新 9 工厂的先进封装设备。（来源：英特尔公司）
2024 年 1 月，英特尔位于新墨西哥州里约兰乔的全新 Fab 9 工厂的一张照片显示了小芯片粘合，这是英特尔先进封装技术 Foveros 的一部分。这种突破性的3D封装技术为组合多个芯片提供了灵活的选项，这些芯片经过了功耗、性能和成本优化。（来源：英特尔公司）
2024 年 1 月，英特尔位于新墨西哥州里约兰乔的全新 9 工厂对晶圆进行制造流程。（来源：英特尔公司）
2024 年 1 月，制造技术人员对位于新墨西哥州里约兰乔的英特尔 Fab 11X 工厂内的洁净室设备进行预防性维护。Fab 11X 和相邻的新 Fab 9 是英特尔首个位于同一地点的大批量先进封装基地，标志着端到端制造流程创造了从需求到最终产品的更高效供应链。（来源：英特尔公司）
照片显示，2024 年 1 月，在新墨西哥州里约兰乔的英特尔 Fab 11X 工厂，身着防兔服的制造技术人员。Fab 11X 和相邻的新 Fab 9 是英特尔首个位于同一地点的大批量先进封装基地，标志着端到端制造流程创造了从需求到最终产品的更高效供应链。（来源：英特尔公司）
2024 年 1 月，位于新墨西哥州里约兰乔的 Fab 11X 的英特尔制造技术人员手持一个装有英特尔硅光子芯片的小晶圆。这些英特尔产品使用更小的外形和更高的速度，能够实现未来的数据中心带宽增长和下一代 5G 部署。（来源：英特尔公司）
2024 年 1 月，位于新墨西哥州里约兰乔的 Fab 11X 的英特尔制造技术人员手持一个包含一个硅光子芯片的键合模块载体。这些英特尔产品使用更小的外形和更高的速度，能够实现未来的数据中心带宽增长和下一代 5G 部署。（来源：英特尔公司）
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