英特尔® 硅光子技术
将集成光子的性能和可靠性与芯片的可扩展性结合起来,以实现高带宽、高能效连接。
英特尔® 硅光子技术
硅光子技术是什么?
硅光子技术集合了 20 世纪两项最重要的发明:硅集成电路和半导体激光。与传统电子产品相比,它支持在较远的距离内更快的数据传输速度,同时利用英特尔高容量硅产品制造的效率。
光学计算互连 (OCI)
英特尔® 光学计算互连 (OCI) 是一类全新的光连接设备,它提供了每秒多 TB 解决方案,具有大幅扩展下一代计算平台和架构所需的覆盖范围和能效,从而支持 AI 基础设施的指数级增长。
OCI 小芯片的功能特性包括:
- 完全集成芯片堆栈,由带有片上 DWDM 激光器和 SOA 的单一英特尔® 硅光子集成电路 (PIC) 和具有构成完整光学 I/O 子系统所需的所有电子设备的高级节点 CMOS 电气集成电路 (EIC) 组成。无需外部激光源或光放大。
- 第一代小芯片双向支持 4 Tbps 带宽,路线图为每台设备支持每秒数十 TB 带宽。
- 在标准单模光纤 (SMF-28) 上运行。无需保偏光纤 (PMF)。
- 提供可拆卸光连接器的集成路径。
- 旨在与下一代 CPU、GPU、IPU 和其他 SOC 共同封装。还可支持独立板载实施。
- 将提供小芯片级别的评估平台。
- 基于我们经过现场验证的英特尔® 硅光子平台,该平台已出货超过 800 万个 PIC,在可插拔光收发器中嵌入了 3200 多万个片上激光器以用于数据中心网络,可靠性行业领先。
了解与英特尔 CPU 共同封装的 OCI 小芯片的最新现场演示的更多信息。阅读博客。
高速光子元件
英特尔® 硅光子元件产品组合为可插拔式数据中心连接提供了高度可靠、容量已验证的解决方案。特性包括:
- 差异化 PIC 和电气 IC。
- 400 Gbps、800 Gbps 和 1.6 Tbps 解决方案,配有并行 (DR) 和 WDM (FR) 接口。
- 可用于 8 通道设计的低成本结构。
- 片上集成激光阵列技术以晶圆规模制造,是英特尔® 硅光子的独有特性 — 无需外部激光器。
- 集成解决方案为真正的光子已知合格芯片实现了晶圆规模测试和激光烧入。
- 实现颠覆性成本结构、规模和集成的下一代制程技术。
- 成熟 — 我们经过现场验证的英特尔® 硅光子平台已出货超过 800 万个 PIC,在可插拔光收发器中嵌入了 3200 多万个片上激光器以用于数据中心网络,可靠性行业领先。
我们目前提供可插拔收发器模块设计所需的以下 5 种(共 6 种)集成电路:
- TX PIC
- RX PIC
- 驱动程序 IC
- 接收器 IC (TIA)
- 控制器 (PMIC)
成熟的大容量硅光子平台
英特尔是硅光子领域的先驱,20 多年前已开始在英特尔实验室投资开发这项技术。
如今,英特尔硅光子产品部门是硅光子领域的批量市场领导者,自 2016 年以来,已从我们的大型制造厂出货超过 800 万个 PIC 和 3200 多万个片上集成激光器,它们都嵌入到由主要超大规模云服务提供商部署的可插拔收发器模块中。
我们在美国运行的大容量硅光子平台提供了经验证的行业领先品质和现场可靠性,同时实现了地域多元化。
我们支持直接耦合的混合激光晶圆技术实现了晶圆规模制造和测试,可帮助提高可靠性和效率。
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产品和性能信息
关于技术的声明基于有关市场上内存产品的延迟、密度和写入周期等内存技术已发表的规范中记录的数据与内部英特尔规范所作的比较。